【SiC/GaNデバイス開発工程オープンポジション】ポテンシャル採用/年休124日 半導体デバイス設計

企業名 Ａｎｊｅｔ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｌａｂ株式会社 求人名 【SiC/GaNデバイス開発工程オープンポジション】ポテンシャル採用/年休124日 仕事の内容 ■業界最先端の高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、SiC/GaNデバイスの設計開発/試作/評価等の業務をお任せします。 ※将来的にはご希望・適性に応じて幅広い業務に挑戦いただけます。 ＜開発工程一覧＞ ・設計開発（構造設計や評価など） ・テクノロジー開発（プロセス開発、歩留まり改善など） ・品質保証（品質評価、監査対応などを含む） 募集職種 【SiC/GaNデバイス開発工程オープンポジション】ポテンシャル採用/年休124日

必要な経験・能力等 【必須】 ◎半導体物性に関する学習経験または実務知識 ◎主体的に新たな知識を学んでいく姿勢 ★本部は台湾にあり、取引先の工場も海外にあるため、英語を主とした外国語でのやり取りが発生します。英語を話せる社員が多いため、フォローは可能なので、入社後に英語を勉強していただければ問題なし！ ★従業員はパワー半導体の業界において高いスキルをお持ちの方が多いため、入社後さらにスキルを高めることが可能！刺激をもらえ、常に新しいことに取り組める環境です。 ★国内外各地からメンバーが集まっております！ 学歴・資格 学歴：大学院 大学 語学力： 資格：

配属先情報 大手半導体メーカー（TI/ON Semiconductor/日立/三菱電機/ルネサス/ローム）等で20～30年以上の経験を持つメンバーで構成されております。

京都府京都市西京区御陵大原1-39京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208・2103号室 Anjet　Research　Lab株式会社 予定勤務地 京都府京都市西京区 勤務地 勤務地① 事業所名：本社 所在地：京都府 京都市西京区 御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館 2203・2208・2103号室 最寄駅：JR 東海道本線 桂川駅、阪急電鉄 阪急京都線 桂駅 喫煙環境：敷地内禁煙（屋外喫煙可能場所あり） 備考：JR桂川駅/阪急桂駅から桂イノベーションパークまでバス有 転勤：無

年俸：500万円～700万円 想定年収 500万円～700万円 雇用形態 正社員 期間の定め：無 賃金形態 形態：年俸制 備考：年俸￥5,000,000～ 基本給￥416,666～を含む/月 諸手当：通勤手当（会社規定に基づき支給） 試用期間 有 期間：3ヶ月 備考：変更無

専門業務型裁量労働制 就業時間 （1日あたり所定労働時間08時間） 休憩：60分 残業：無 備考：

休日 休日：124日 （内訳） 完全週休二日制 土曜 日曜 祝日 その他（年休124日以上※暦により数日の変動あり） 有給休暇：有（10日～）

【保険制度】 ・雇用保険 ・労災保険 ・健康保険 ・厚生年金 制度、設備 服装自由 （全従業員利用可） ストックオプション （全従業員利用可） 従業員専用駐車場あり （全従業員利用可） その他制度 退職金：無 社会保険：健康保険 厚生年金保険 雇用保険 労災保険 寮・社宅：無

試用期間あり 試用期間3ヶ月。

備考 ■標準労働時間 9:00～18:00 ■定年65歳制（再雇用 上限70歳まで） ■マイカー通勤可 ※駐車場代は全額会社負担 ≪職安法改正による令和6年4月より明記が必須となった項目について≫ ■従事すべき業務の変更の範囲：当社業務全般 ■就業場所の変更の範囲：無し ※本社の移転や拠点の設立などにより就業場所が変更となる可能性はございます。 採用企業情報・求人取扱いエージェント ■求人取扱いエージェント リクルートエージェント https://www.r-agent.com/ ■採用企業情報 事業内容：化合物パワー半導体デバイス設計業 設立：2019年12月 代表者：代表取締役 呉 文景 従業員数：12人 資本金：70百万円 株式公開：非公開 本社所在地：〒615-8245 京都府京都市西京区 御陵大原１－３９ 京大桂ベンチャープラザ南館２２０３号室 本社以外の事業所：《国内》所沢サテライトオフィス／《海外》■ Taipei Anjet Corporation (HQ) ■Hsinchu R&D office ■Beijing Sales 関連会社：■Taipei ANJET corporation (Headquarters) その他備考・企業からのフリーコメント：《当社について》高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファンダリーメーカーと協業し、推進しています。高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入を目指しています。大学などの研究機関・提携企業との協力を進めることによって、当分野のリーディングカンパニーを目指しています。設立は2019年と浅いですが、京都市/JETRO/中小機構の支援の下、開発を行っております。 従来の垂直統合型で進めていた日本の半導体メーカーと一線を画し、水平分業型のビジネスモデルを取っております。台湾のヘッドクォーターのエンジニア、台湾・香港・アメリカ等のファウンドリーメーカーとのエンジニア等と協業し、プロセスインテグレーションを進めております。SiCに強いファウンドリーが少ない中で、これまでにない半導体を生み出すために技術的な支援を推進。今後、これまで積み上げてきた技術を商品化（量産化）していくための人員の強化を進めています。 また2022年からはGaN power devicesの開発もスタートしWide Band Gap材料による新機能素子の俯瞰的な商品展開を行います。 決算情報：決算期 売上高 非公開 経常利益 非公開 ※決済単位：単体

年間休日120日以上土日祝休み業界未経験歓迎完全週休2日制転勤なし服装自由

選考内容 面接回数：3回程度（目安） 筆記試験：無 採用人数：1名 求人エントリーにあたって この求人はリクルートエージェント（株式会社インディードリクルートパートナーズ運営）が掲載する求人情報の一部のみの転載です。 ※本ページで応募ボタンをクリック後、リクルートエージェントに新規会員登録またはログインいただき、求人内容を確認後正式な応募手続きをお願いいたします。 ※応募のタイミングによっては本求人は掲載を終了している可能性がございます。あらかじめご承知おきください。

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