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- 正社員企業名 ＨＹＴＥＣＨ ＪＡＰＡＮ株式会社 求人名 【半導体材料開発・ダイシングブレード】年収1000万～/勤務地相談可/年休120日 仕事の内容 ダイシングブレードの開発をお任せ。新規事業立ち上げの中核メンバーとして開発計画の策定から実行までを主導し、高品質製品の開発を通じてグローバル市場での競争力強化に貢献していただきます。 ・半導体ウェーハを個々のチップに分割する「ダイシング」工程で使用されるブレードの開発・製造 ・開発計画の策定、必要人員構成の検討、生産体制構築など新規事業立上げ ※開発した製品は中国本社と連携してグローバル展開を予定しています 専門知識と経験を活かし、裁量を持って業務に取り組める環境です 募集職種 【半導体材料開発・ダイシングブレード】年収1000万～/勤務地相談可/年休120日月給
83万3000円以上
東京都品川区- 業界未経験歓迎転勤なし完全週休2日制土日祝休み服装自由
- 正社員企業名 ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社 求人名 【福岡/半導体メモリR&D】Flash Memory設計・評価・量産支援／台湾本社R&D連携 仕事の内容 フラッシュメモリ製品の設計・開発業務を担当いただきます。経験に応じて、メモリアレイ、周辺回路、I/O、電源、制御回路、検証、評価、量産立ち上げ支援、顧客要求に基づく技術対応をお任せします。 ・NOR Flash、NAND Flash、Serial Flash等の回路設計・製品開発 ・Memory Array、Charge Pump、Sense Amp、Decoder、I/O、Power、Control Logic等の設計・改善 ・設計仕様検討、シミュレーション、設計レビュー、評価結果の解析 ・信頼性評価、特性評価、歩留まり改善、Failure Analysisの支援 ・台湾本社R&D、品質、FAE、営業部門との技術連携 ・国内顧客の要求仕様・不具合解析・カスタマイズ要望への技術対応 募集職種 【福岡/半導体メモリR&D】Flash Memory設計・評価・量産支援／台湾本社R&D連携年俸
800万円～1600万円
福岡県福岡市中央区- 業界未経験歓迎年間休日120日以上英語退職金あり完全週休2日制土日祝休み
- 正社員企業名 ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社 求人名 [デザインエンジニア※NANDメモリ設計エンジニア]年収800～1600万円/年休124日 仕事の内容 ■1Xnm、2XnmのNANDのRTL設計者、およびロジック検証をお任せいたします。NANDのリード設計は日本で行っており、競合他社と比較して少人数組織となるため、裁量が大きく自身の考えを反映させやすい環境です。 【当社について】1987年に台湾で設立され、NORフラッシュメモリではトップクラスのシェアを取るなど急成長した半導体企業です。今も増大する需要を満たすため台湾の高雄に新工場も設立するなど開発、生産力の向上に盛んに投資を行っています。NANDの開発については日本が主導しているため設計自由度が高く、少数精鋭での開発を行っており幅広い領域を経験いただくことが可能です。 募集職種 [デザインエンジニア※NANDメモリ設計エンジニア]年収800～1600万円/年休124日年俸
900万円～1600万円
神奈川県横浜市港北区- 業界未経験歓迎年間休日120日以上英語退職金あり完全週休2日制土日祝休み
- 正社員企業名 ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社 求人名 [デザインエンジニア※DRAMメモリ設計エンジニア]年収900～1600万円/年休124日 仕事の内容 ■DRAM（1Xnm）のＲ＆Ｄ業務をお任せいたします。開発、設計、カスタマ イズ、検証等一連の業務をお任せします。 【当社DRAM分野の特徴】DRAM製 品ポートフォリオは、Mobile RAM、 Specialty DRAM、Graphics DRAMからなり、高いパフォーマンスを特徴と しております。主に、コンシューマー・コミュニケーション・コンピューター周辺機器・自動車関連機器市場などで多く使用されております。 ※忙しく、面接にお越しいただくのが難しい方でも、電話面談やご自宅近くでの面接など対応いたします。お気軽にご応募ください！ 募集職種 [デザインエンジニア※DRAMメモリ設計エンジニア]年収900～1600万円/年休124日年俸
900万円～1600万円
神奈川県横浜市港北区- 業界未経験歓迎年間休日120日以上英語退職金あり完全週休2日制土日祝休み
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