こだわり条件の追加設定を忘れていませんか？
- 正社員企業名 ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社 求人名 第二新卒歓迎[DRAMメモリ設計エンジニア]年収700～900万円/年休124日 仕事の内容 ■DRAM（1Xnm）のR&D業務。開発、設計、カスタマイズ、検証など、一連の業務をご担当いただきます。メモリ設計のご経験がない方でも、ロジックやアナログなど他分野の半導体設計経験をお持ちの方 またはメモリ分野のプロセスエンジニアの方も、設計職へのキャリアチェンジが可能です！【当社DRAM分野の特徴】当社のDRAM製品ポートフォリオは、Mobile RAM、Specialty DRAM、Graphics DRAMから構成されており、高いパフォーマンスを誇ります。主に、コンシューマー機器、通信機器、コンピューター周辺機器、自動車関連機器市場などで幅広く使用されています。 募集職種 第二新卒歓迎[DRAMメモリ設計エンジニア]年収700～900万円/年休124日年俸
700万円以上
神奈川県横浜市港北区- 年間休日120日以上土日祝休み業界未経験歓迎完全週休2日制退職金あり英語
- 正社員企業名 ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社 求人名 [デザインエンジニア※NANDメモリ設計エンジニア]年収800～1600万円/年休124日 仕事の内容 ■1Xnm、2XnmのNANDのRTL設計者、およびロジック検証をお任せいたします。NANDのリード設計は日本で行っており、競合他社と比較して少人数組織となるため、裁量が大きく自身の考えを反映させやすい環境です。 【当社について】1987年に台湾で設立され、NORフラッシュメモリではトップクラスのシェアを取るなど急成長した半導体企業です。今も増大する需要を満たすため台湾の高雄に新工場も設立するなど開発、生産力の向上に盛んに投資を行っています。NANDの開発については日本が主導しているため設計自由度が高く、少数精鋭での開発を行っており幅広い領域を経験いただくことが可能です。 募集職種 [デザインエンジニア※NANDメモリ設計エンジニア]年収800～1600万円/年休124日年俸
900万円～1600万円
神奈川県横浜市港北区- 年間休日120日以上土日祝休み業界未経験歓迎完全週休2日制退職金あり英語
- 正社員企業名 ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社 求人名 [デザインエンジニア※DRAMメモリ設計エンジニア]年収900～1600万円/年休124日 仕事の内容 ■DRAM（1Xnm）のＲ＆Ｄ業務をお任せいたします。開発、設計、カスタマ イズ、検証等一連の業務をお任せします。 【当社DRAM分野の特徴】DRAM製 品ポートフォリオは、Mobile RAM、 Specialty DRAM、Graphics DRAMからなり、高いパフォーマンスを特徴と しております。主に、コンシューマー・コミュニケーション・コンピューター周辺機器・自動車関連機器市場などで多く使用されております。 ※忙しく、面接にお越しいただくのが難しい方でも、電話面談やご自宅近くでの面接など対応いたします。お気軽にご応募ください！ 募集職種 [デザインエンジニア※DRAMメモリ設計エンジニア]年収900～1600万円/年休124日年俸
900万円～1600万円
神奈川県横浜市港北区- 年間休日120日以上土日祝休み業界未経験歓迎完全週休2日制退職金あり英語
