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- 正社員企業名 ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社 求人名 【福岡/半導体メモリR&D】Flash Memory設計・評価・量産支援／台湾本社R&D連携 仕事の内容 フラッシュメモリ製品の設計・開発業務を担当いただきます。経験に応じて、メモリアレイ、周辺回路、I/O、電源、制御回路、検証、評価、量産立ち上げ支援、顧客要求に基づく技術対応をお任せします。 ・NOR Flash、NAND Flash、Serial Flash等の回路設計・製品開発 ・Memory Array、Charge Pump、Sense Amp、Decoder、I/O、Power、Control Logic等の設計・改善 ・設計仕様検討、シミュレーション、設計レビュー、評価結果の解析 ・信頼性評価、特性評価、歩留まり改善、Failure Analysisの支援 ・台湾本社R&D、品質、FAE、営業部門との技術連携 ・国内顧客の要求仕様・不具合解析・カスタマイズ要望への技術対応 募集職種 【福岡/半導体メモリR&D】Flash Memory設計・評価・量産支援／台湾本社R&D連携年俸
800万円～1600万円
福岡県福岡市中央区- 業界未経験歓迎年間休日120日以上英語退職金あり完全週休2日制土日祝休み
- 正社員企業名 Ａｎｊｅｔ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｌａｂ株式会社 求人名 【SiC/GaNデバイス開発工程オープンポジション】ポテンシャル採用/年休124日 仕事の内容 ■業界最先端の高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、SiC/GaNデバイスの設計開発/試作/評価等の業務をお任せします。 ※将来的にはご希望・適性に応じて幅広い業務に挑戦いただけます。 ＜開発工程一覧＞ ・設計開発（構造設計や評価など） ・テクノロジー開発（プロセス開発、歩留まり改善など） ・品質保証（品質評価、監査対応などを含む） 募集職種 【SiC/GaNデバイス開発工程オープンポジション】ポテンシャル採用/年休124日年俸
500万円～700万円
京都府京都市西京区- 業界未経験歓迎年間休日120日以上転勤なし完全週休2日制土日祝休み服装自由
- 正社員企業名 ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社 求人名 第二新卒歓迎[DRAMメモリ設計エンジニア]年収700～900万円/年休124日 仕事の内容 ■DRAM（1Xnm）のR&D業務。開発、設計、カスタマイズ、検証など、一連の業務をご担当いただきます。メモリ設計のご経験がない方でも、ロジックやアナログなど他分野の半導体設計経験をお持ちの方 またはメモリ分野のプロセスエンジニアの方も、設計職へのキャリアチェンジが可能です！【当社DRAM分野の特徴】当社のDRAM製品ポートフォリオは、Mobile RAM、Specialty DRAM、Graphics DRAMから構成されており、高いパフォーマンスを誇ります。主に、コンシューマー機器、通信機器、コンピューター周辺機器、自動車関連機器市場などで幅広く使用されています。 募集職種 第二新卒歓迎[DRAMメモリ設計エンジニア]年収700～900万円/年休124日年俸
700万円以上
神奈川県横浜市港北区- 業界未経験歓迎年間休日120日以上英語退職金あり完全週休2日制土日祝休み
- 正社員企業名 ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社 求人名 [デザインエンジニア※NANDメモリ設計エンジニア]年収800～1600万円/年休124日 仕事の内容 ■1Xnm、2XnmのNANDのRTL設計者、およびロジック検証をお任せいたします。NANDのリード設計は日本で行っており、競合他社と比較して少人数組織となるため、裁量が大きく自身の考えを反映させやすい環境です。 【当社について】1987年に台湾で設立され、NORフラッシュメモリではトップクラスのシェアを取るなど急成長した半導体企業です。今も増大する需要を満たすため台湾の高雄に新工場も設立するなど開発、生産力の向上に盛んに投資を行っています。NANDの開発については日本が主導しているため設計自由度が高く、少数精鋭での開発を行っており幅広い領域を経験いただくことが可能です。 募集職種 [デザインエンジニア※NANDメモリ設計エンジニア]年収800～1600万円/年休124日年俸
900万円～1600万円
神奈川県横浜市港北区- 業界未経験歓迎年間休日120日以上英語退職金あり完全週休2日制土日祝休み
- 正社員企業名 Ａｎｊｅｔ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｌａｂ株式会社 求人名 SiC/GaNデバイス開発工程オープンポジション◇急成長ベンチャー/即戦力採用 仕事の内容 ■業界最先端の高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、SiC/GaNデバイスの設計開発/試作/評価等の業務をお任せします。 ※ご本人の希望・適性に応じて幅広い業務に挑戦いただけます。 ＜開発工程一覧＞ ・設計開発（構造設計や評価など） ・テクノロジー開発（プロセス開発、歩留まり改善など） ・品質保証（品質評価、監査対応などを含む） ★ご経験を生かして様々な工程でご活躍いただけます！ 募集職種 SiC/GaNデバイス開発工程オープンポジション◇急成長ベンチャー/即戦力採用年俸
700万円～1000万円
京都府京都市西京区- 年間休日120日以上転勤なし完全週休2日制土日祝休み服装自由
- 正社員企業名 ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社 求人名 [デザインエンジニア※DRAMメモリ設計エンジニア]年収900～1600万円/年休124日 仕事の内容 ■DRAM（1Xnm）のＲ＆Ｄ業務をお任せいたします。開発、設計、カスタマ イズ、検証等一連の業務をお任せします。 【当社DRAM分野の特徴】DRAM製 品ポートフォリオは、Mobile RAM、 Specialty DRAM、Graphics DRAMからなり、高いパフォーマンスを特徴と しております。主に、コンシューマー・コミュニケーション・コンピューター周辺機器・自動車関連機器市場などで多く使用されております。 ※忙しく、面接にお越しいただくのが難しい方でも、電話面談やご自宅近くでの面接など対応いたします。お気軽にご応募ください！ 募集職種 [デザインエンジニア※DRAMメモリ設計エンジニア]年収900～1600万円/年休124日年俸
900万円～1600万円
神奈川県横浜市港北区- 業界未経験歓迎年間休日120日以上英語退職金あり完全週休2日制土日祝休み
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