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- 正社員企業名 東芝デバイス＆ストレージ株式会社 求人名 AT-P2【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニア 仕事の内容 MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセス（成膜プロセス、リソグラフィ、ドライエッチング／ウェットエッチング、イオン注入など）の開発に従事いただきます。 各工程毎にチーム編成をして、プロセスで専門家集団を形成して業務を進めています。各チームで開発を牽引頂ける人財を求めており、ご経験を踏まえてお任せする工程を相談します。【募集背景】需要拡大が見込まれる低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強するための300mmウエハー対応の新製造ラインの構築、及び新製品に対応した新規プロセス・装置を開発する人材を募集。 募集職種 AT-P2【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニア月給
21万円以上
石川県能美市- 年間休日120日以上退職金あり完全週休2日制土日祝休み
