東芝デバイス＆ストレージ株式会社の中途採用・転職・求人情報

次世代HDD（HAMR中心）に向けたRW（Read/Write）技術の開発に従事。要素技術開発から評価・検証・製品適用まで一貫して担当し、記録密度向上や性能最大化に向けた各種開発・データ解析を推進。

MOSFETやIGBT等のパワー半導体デバイスの新規開発において、製品毎に6～8名のチームを組み、以下業務をお任せします。具体的には、■半導体のプロセスインテグレーション、デバイス技術■評価分析■プロセス

HDDの機構設計を中心とした要素技術開発を担当お任せ。製品の高性能化・高信頼化を実現するため、機構系要素設計の検討から試作、評価、不具合解析、初期量産立ち上げまで要素技術の立場で携わっていただきます。

海外現地法人や国内外パートナーと連携しデータセンター向け大容量HDDの販売戦略立案から価格交渉・契約交渉、売上・損益管理まで担当。市場・顧客分析に基づきグローバルでの事業拡大を推進します。

HDDの中核部品であるヘッド関連部品のサプライヤー品質管理・改善を担当します。品質データの分析や不具合対応を通じてサプライヤーと連携し、製造工程の改善推進および製品品質・安定供給の向上を実現します。

半導体応用技術センターでは、以下業務をお任せします。 【詳細】・半導体製品企画・半導体製品/応用装置における評価・デジタルマーケティング用技術コンテンツ企画、制作・営業技術業務　など。

デバイス開発部に所属いただき、MOSFETやIGBT等のパワー半導体デバイスの新規開発において、製品毎に6～8名のチームを組み、下記業務をお任せいたします。・半導体のプロセスインテグレーション、デバイス技術

ディスクリート半導体(パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー)に関する以下の業務に従事いただきます。具体的には、下記業務になります。

アナログIC（民生・産業MCD、車載MCD、リニアセンサ、デジタルアイソレータ、IPD、LDO,efuseIC等）に関する業務をお任せします。 【詳細】■回路設計(設計・検証)■製品評価・解析■DFT設計■開発業務管理

■将来世代HDD開発において、AI・機械学習を活用したデータ分析を担当。評価・検査データから要因特定・予測モデル構築を行い、設計改善提案まで一気通貫で推進し製品性能・品質向上に貢献いただきます。

マイコン製品の民生・産業・車載を中心とした伸長分野での設計開発人材を募集しています。常に競合とのベンチマークを実施しながら、競争力ある製品を開発する非常にやりがいのある業務です。

車載のモーターコントロールドライバー製品/デジタルアイソレーション製品において今後、生産数量が増大する中で、製品の評価及び量産テスト開発の人材を強化する必要があり、今回の求人要求となっています。

HDDのヘッドとメディアの境界面(HDI)に関する信頼性評価やリスク管理を担当。部品単体ではなく組み合わせ条件での挙動や信頼性を確認し、不具合の解析や再発防止策の検討、関係部門との調整を担います。

デバイス開発部に所属いただき、MOSFETやIGBT等のパワー半導体デバイスの新規開発において、製品毎に6～8名のチームを組み、下記業務をお任せいたします。・半導体のプロセスインテグレーション、デバイス技術

半導体応用技術センターでは、以下業務をお任せします。 【詳細】・半導体製品企画・半導体製品/応用装置における評価・デジタルマーケティング用技術コンテンツ企画、制作・営業技術業務　など。

配属部門において、パッケージ(製品)開発、材料開発から、試作、量産立ち上げを実施し、上流から下流までインテグレーションの一連のご経験を積むことが可能です。姫路半導体工場に駐在いただき、製造担当部門と

当社では、Si半導体に代わるGaNパワー半導体の研究開発を推進しており、川崎にてデバイス開発とプロセスインテグレーションに取り組んでおります。※エピタキシャルプロセスについては、兵庫にて研究開発中です。

配属部門ではSiCやGaNなどの化合物半導体の研究開発をお任せします。SiCの研究開発は兵庫の姫路半導体工場に人員を集約しており、パワーモジュール開発、デバイス設計、プロセス開発、製造まで一貫して取り組んで

カーボンニュートラル、脱炭素社会の実現に向けて、電力を制御する役割を果たすパワーデバイスの需要拡大が見込まれている状況です。 産業用機器、社会インフラ機器、電鉄、自動車などに使用されるIGBT／SiC

下記業務をお任せします。【詳細】■論理合成■STA/タイミング設計■P&R/レイアウト■チップ実装■DFT設計■Low Power 設計■物理設計/パッケージ設計■設計メソドロジ開発【募集背景】昨今の拡大する半導体

MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセス（成膜プロセス、リソグラフィ、ドライエッチング／ウェットエッチング、イオン注入など）の開発に従事いただきます。

データセンター向け大容量HDDを中心としたストレージ事業における市場・競合調査業務をお任せ。競合他社や顧客の動向をもとに市場の変化を捉え、事業判断に役立つ情報を社内に提供していきます。

弊社では、Si半導体に代わるGaNパワー半導体の研究開発を推進しており、川崎にてデバイス開発とプロセスインテグレーションに取り組んでおります。※エピタキシャルプロセスについては、兵庫にて研究開発中。

HDDのサーボ制御開発をお任せします。製品の高性能化・高精度化・高信頼化に向け制御アルゴリズムの設計・実装から実機評価、チューニング、製品適用までを一貫して推進。実機環境での性能成立を担います。

配属部門において、パッケージ(製品)開発、材料開発から、試作、量産立ち上げを実施し、上流から下流までインテグレーションの一連のご経験を積むことが可能です。姫路半導体工場に駐在いただき、製造担当部門と

半導体デジタル設計領域におけるEDA環境の構築や設計メソドロジの高度化、設計フローの標準化・自動化を推進します。設計現場の課題を起点に、最新ツールの導入やプロセス全体の最適化を担うポジションです。

ディスクリート半導体(パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー)に関する下記業務に従事いただきます。【詳細】当部門は光絶縁デバイスの開発・提案業務を

磁気ディスク装置(HDD)の大容量化・高性能化に向けたサーボ制御技術の先行開発を担当。制御理論に基づく要件定義から制御系設計、アルゴリズム開発、MATLABでのシミュレーション・製品適用まで推進。

弊部署では産業、車載向けMOSFETの開発・設計を行っています。小信号デバイスや車載向けパワーデバイスなどのディスクリート半導体の開発部門です。開発業務の司令塔として製品企画、開発試作から量産立ち上げに

弊社では、Si半導体に代わるGaNパワー半導体の研究開発を推進しており、川崎にてデバイス開発とプロセスインテグレーションに取り組んでおります。※エピタキシャルプロセスについては、兵庫にて研究開発中。

次世代HDDのコア部品（ヘッド・メディア）の開発・評価設計・量産立ち上げ業務。海外ベンダーと連携し、要求仕様に基づく仕様検討や評価設計、結果の解析、不具合解析などの技術的判断をリードします。

マイコン・システムLSI・汎用小型IC等の製品開発から量産立ち上げにおけるプロダクトマネジメント業務に従事いただきます。■デバイス設計、シミュレーション(TCAD)プロセス開発■製品試作、性能評価、解析

半導体事業部デジタルマーケティング部にて、Webサイトのアクセス解析やSEO対策、Webアプリケーション構築の企画・推進をお任せします。将来のマネジメント候補として組織の成長を牽引する役割です。

ディスクリート半導体(パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー)に関する以下の業務に従事いただきます。具体的には、下記業務になります。

世界のデータセンターを支えるHDDの需給調整。顧客需要を起点に、海外工場への生産指示から納品までを一貫して管理。供給制約下で「どの顧客に優先して届けるか」という経営判断にも関わる重要職務です。

パッケージ(製品)開発、材料開発から、試作、量産立ち上げを実施し、上流から下流までインテグレーションの一連のご経験を積むことが可能です。配属部門においては、パッケージ(製品)開発、材料開発から、

パッケージ(製品)開発、材料開発から、試作、量産立ち上げを実施し、上流から下流までインテグレーションの一連のご経験を積むことが可能です。配属部門においては、パッケージ(製品)開発、材料開発から、