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京都府 ルネサス パワーの転職・求人・中途採用情報

4件
1〜4件目を表示中
  • 正社員
    年俸

    700万円~1000万円

    京都府京都市西京区
    企業名 Anjet Research Lab株式会社 求人名 【SiC/GaNデバイスの品質保証】即戦力採用/年休124日/成長中ベンチャー 仕事の内容 ■化合物半導体を用いたパワーデバイスの品質保証業務をお任せいたします。入社後はご希望に応じて開発工程の他ポジションに挑戦いただくことも可能です。※本ポジションは即戦力となる方の募集です。 <具体的な業務内容の例> ・車載および産業用途向けSiC/GaNデバイスの品質評価/信頼性試験 ・製品異常の解析・フィードバック(FMEA、FTA、8Dなど) ・顧客監査・外部品質対応(PPAP、IATF対応など) ・工程監視/出荷品質データの統計的分析 ・品質向上活動(社内横断的な改善プロジェクト推進) 募集職種 【SiC/GaNデバイスの品質保証】即戦力採用/年休124日/成長中ベンチャー
      業界未経験歓迎年間休日120日以上転勤なし完全週休2日制土日祝休み服装自由
  • 正社員
    年俸

    500万円~700万円

    京都府京都市西京区
    企業名 Anjet Research Lab株式会社 求人名 【SiC/GaNデバイス開発工程オープンポジション】ポテンシャル採用/年休124日 仕事の内容 ■業界最先端の高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、SiC/GaNデバイスの設計開発/試作/評価等の業務をお任せします。 ※将来的にはご希望・適性に応じて幅広い業務に挑戦いただけます。 <開発工程一覧> ・設計開発(構造設計や評価など) ・テクノロジー開発(プロセス開発、歩留まり改善など) ・品質保証(品質評価、監査対応などを含む) 募集職種 【SiC/GaNデバイス開発工程オープンポジション】ポテンシャル採用/年休124日
      業界未経験歓迎年間休日120日以上転勤なし完全週休2日制土日祝休み服装自由
  • 正社員
    年俸

    700万円~1000万円

    京都府京都市西京区
    企業名 Anjet Research Lab株式会社 求人名 SiC/GaNデバイス開発工程オープンポジション◇急成長ベンチャー/即戦力採用 仕事の内容 ■業界最先端の高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、SiC/GaNデバイスの設計開発/試作/評価等の業務をお任せします。 ※ご本人の希望・適性に応じて幅広い業務に挑戦いただけます。 <開発工程一覧> ・設計開発(構造設計や評価など) ・テクノロジー開発(プロセス開発、歩留まり改善など) ・品質保証(品質評価、監査対応などを含む) ★ご経験を生かして様々な工程でご活躍いただけます! 募集職種 SiC/GaNデバイス開発工程オープンポジション◇急成長ベンチャー/即戦力採用
      年間休日120日以上転勤なし完全週休2日制土日祝休み服装自由
  • 正社員
    年俸

    700万円~1000万円

    京都府京都市西京区
    企業名 Anjet Research Lab株式会社 求人名 【SiC/GaNデバイスのテクノロジー開発】即戦力採用/年休124日/成長中ベンチャー 仕事の内容 ■化合物半導体を用いたパワーデバイスのプロセス開発業務をお任せいたします。入社後はご希望に応じて開発工程の他ポジションに挑戦いただくことも可能です。※本ポジションは即戦力となる方の募集です。 <具体的な業務内容の例> ・デバイス製造プロセス(イオン注入、酸化、エッチングなど)の開発、改善(プロセスインテグレーション) ・歩留まり改善、プロセス安定性検証 ・新規材料評価および分析(XRD、SEM、AFM、SIMSなど) 募集職種 【SiC/GaNデバイスのテクノロジー開発】即戦力採用/年休124日/成長中ベンチャー
      業界未経験歓迎年間休日120日以上転勤なし完全週休2日制土日祝休み服装自由
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