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正社員企業名 株式会社東芝 求人名 【川崎】半導体・先端デバイスの研究開発 /東芝総合研究所 仕事の内容 東芝の研究開発の中核を担う総合研究所にて、半導体・ストレージ分野の先端デバイス研究開発をお任せします。パワー半導体/高機能MEMS、先端プロセス/材料物性、次世代HDD技術のいずれかの領域を推進いただきます。 ▼業務例（ご経験に合わせて担当業務を決定いたします） 【1】パワー半導体/高機能MEMS/高周波デバイス技術開発：素子設計、回路制御、モジュール実装（熱設計/信頼性評価/RF特性）、電気特性測定、各種シミュレーション解析（SPICE/プロセス/MEMS構造） 【2】先端半導体プロセス・材料物性技術開発：成膜・エッチング・リソグラフィ等の半導体プロセス、化合物半導体（GaN等）の結晶成長（MOCVD/HVPE）、物性評価（XRD/SEM/TEM）・モデリング解析 【3】次世代HDD技術開発：ヘッド・媒体シミュレーション設計、特性評価、サーボ制御設計、振動構造解析・熱流体解析・電磁気解析（FEM） - 【採用背景】 ■成長戦略の中核を担う半導体技術の開発強化、革新技術開発を加速させるため、最先端の研究開発に携わり、未来の産業基盤を支える技術創出に貢献いただける方を募集。 【募集部門からのPR（やりがい・魅力）】 ■半導体・ストレージ技術は、社会のあらゆる分野の進化を支える基盤技術であり、特にパワー半導体、次世代ストレージ技術（HDDなど）、MEMSデバイス（ジャイロ・加速度センサなど）、高周波デバイス(衛星通信、レーダー、防衛など)、先端プロセス技術は、エネルギー効率、情報処理能力、信頼性の向上に直結する重要技術領域です。 この分野の研究開発では、素子設計から回路制御、モジュール実装、材料物性評価、シミュレーション解析に至るまで、幅広い技術領域を横断的に扱います。GaNやSiCなどの化合物半導体を用いた次世代パワーデバイス、高周波デバイスの開発は、カーボンニュートラルの実現、AI・データセンター・電動化社会・次世代通信・防衛における新たな市場ニーズに応える挑戦的なテーマです 。当社技術は、国内外の学会や産業界からも高く評価されており、研究成果が社会実装に直結するやりがいがあります。 ※職務内容の変更範囲：当社業務全般 募集職種 【川崎】半導体・先端デバイスの研究開発 /東芝総合研究所月給50万円以上
神奈川県川崎市幸区- 年間休日120日以上土日祝休み業界未経験歓迎退職金あり
