住友電工デバイス・イノベーション株式会社の中途採用・転職・求人情報

事業拡大に伴い、人事制度の改定、評価結果の処遇反映、工場の労務対応、教育・人材開発など、さらに「会社を良くする」企画を前に進めていくため、人事の実務経験をお持ちの方を正社員として増員します。

化合物半導体の組立(アセンブリ)・検査工程(下工程)における生産技術開発、設備の開発・導入担当。自動機の設計・組み上げ・装置設定、計測システムの開発等、量産ラインの自動化・合理化を推進します。

UIターン歓迎です。GaN HEMT・高出力増幅器を収容する高周波パッケージの開発エンジニア。高性能化・小型化を支えるパッケージの材料選定、構造設計、製造立ち上げ、工程改善まで一気通貫で担っていただきます。

当社の事業成長と業務改革を支える情報システムの企画・設計・導入プロジェクトにおいて、リーダー／マネージャーとして企画段階から推進まで一貫して担当いただくポジションです。

光デバイス製造の最重要工程であるエピタキシャル結晶成長を担う製造技術エンジニア。MOCVD等を用いた化合物半導体の結晶成長プロセスについて、量産立ち上げから歩留まり安定化、不具合対策まで。

化合物半導体のEpi（エピタキシャル成長）・ウエハプロセス（上工程）における生産技術開発、設備の開発・導入を担うポジションです。「ものづくり全体」に関わるのが当社生産技術の特徴です。

光デバイス製造の前工程である半導体ウェハプロセス(フォトリソ、エッチング、成膜等)を担う製造技術エンジニア。化合物半導体ウェハに対する各種プロセス技術の製造現場における技術リーダー。

高周波化合物半導体トランジスタのモデリングに関する技術開発およびそれらを用いた増幅器の回路設計をお任せします。

半導体デバイスの製造に用いる各種製造装置、および工場の操業を支えるファシリティ設備(電気・ガス・水・空調・真空・熱源等)の導入・立上げ・改善を担うエンジニアリングポジション。機械系・電気系の2職種。

化合物半導体の生産活動全般を対象とした業務改善とDXシステムの企画と開発をお任せします。

化合物半導体の製造工程の一部を協力会社へ委託する「外注取引」について、加工委託契約の締結から取引スキームの導入・運用までを担うポジションです。

化合物半導体製造を支えるMES（製造実行システム）および周辺サブシステムの運用・保守・改善対応、ならびに将来のDX化推進を担っていただくポジションです。

企画業務部 業務部（経営管理・管理会計）では、新卒採用と合わせた体制強化の一環として、キャリア採用で1名を増員します。

化合物半導体用の原材料・副資材・外注委託・製造装置などの調達並びに貿易・物流業務。

光ファイバ通信に用いる半導体レーザ素子（チップ）の高性能化や生産性向上を狙いとする、要素技術および量産プロセス技術の開発を担っていただくポジションです。

高速光デバイス・の品質保証を担当し、製品開発からモノづくりまで横断的に携わることができます。

光ファイバ通信に用いる半導体レーザ素子（チップ）の高性能化や生産性向上を狙いとする、要素技術および量産プロセス技術の開発を担っていただくポジションです。

光ファイバ通信用光半導体デバイス(EML、CWレーザ、波長可変レーザ、半導体光アンプ)の構造設計・評価を担うエンジニアを募集します。顧客要求仕様をベースに、量子井戸構造・屈折率分布・共振器長等設計をお任せ

化合物半導体のEpi（エピタキシャル成長）・ウエハプロセス（上工程）における生産技術開発、設備の開発・導入を担うポジションです。「ものづくり全体」に関わるのが当社生産技術の特徴です。

社内業務を支える情報システムの設計・開発・運用・保守を幅広く担当いただきます。既存システムの改善や業務効率化に繋がる新規システムの企画・設計にも携わることができるポジションです。

無線通信（5G基地局等）向け高周波デバイスに用いる、GaN系化合物半導体エピタキシャルウェハの量産技術を担うポジションです。基本レシピ（生産条件）をベースに、日々の生産状況やデータを見ながら改善。

化合物半導体の製造設備をつなぎ設備データを収集加工活用する基盤を整備。設備仕様策定から制御設定整形処理上位連携可視化運用まで一体で推進。暗黙知をデータで見える化し継続改善で生産性と品質を向上

5G/6G基地局向けGaN-HEMTデバイスの性能を左右するエピタキシャル結晶成長の技術開発および量産展開を担うポジションです。MOCVD等を用いた結晶成長プロセスの開発から、量産ラインへの展開までを一貫してお任せ

化合物半導体の生産活動全般を対象に、業務改善とDXシステムの企画・導入・運用を幅広く担うシステムアーキテクト／プログラマーを募集します。

半導体デバイスの製造に用いる各種製造装置、および工場の操業を支えるファシリティ設備(電気・ガス・水・空調・真空・熱源等)の導入・立上げ・改善を担うエンジニアリングポジション。機械系・電気系の2職種。

UIターン歓迎です。GaN HEMT(窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ)のデバイス技術エンジニア。試作デバイスの特性評価とFBを通じプロセス・生産技術者と協議、量産デバイスの特性最大化・歩留改善・製品化の伴走

携帯電話基地局向けGaN HEMTを用いた高出力増幅器の設計開発を担うエンジニア。国内外の主要基地局ベンダーからの顧客要求仕様を受け、ドハティ増幅器等の回路設計から試作・評価・製品化まで、開発をリード。

無線通信の出力増幅に用いられるGaN-HEMTの、エピ・ウェハプロセス工程における品質管理業務です。データ分析と現場観察の両面から品質問題の芽を先回りして捉え、関係部門を巻き込んで解決していくポジションです

半導体レーザの個片化、端面膜加工、素子検査に関する製造技術、生産技術担当いただきます《詳細》■ウェハプロセス完了後のチップ化工程の能力改善に向けた新規導入装置の立上げ、量産工程適用に向けた処理条件の

光ファイバ通信用光半導体デバイス(EML、CWレーザ、波長可変レーザ、半導体光アンプ)の構造設計・評価を担うエンジニアを募集します。顧客要求仕様をベースに、量子井戸構造・屈折率分布・共振器長等設計をお任せ

化合物半導体光デバイスのプロセス技術開発、特にMOCVD・エピタキシャル結晶成長を中心とするエンジニアを募集。量子井戸構造や三次元構造の成長技術を開発し、光素子設計部と連携し新製品の開発・特性改善を牽引

無線通信の出力増幅に用いられるGaN-HEMTの、エピタキシャル成長工程（エピ工程）における生産管理業務です。関係部門と協力しながら計画に仕事進める、工場のものづくりの「司令塔」となるポジションです。

光デバイス製造の前工程である半導体ウェハプロセス(フォトリソ、エッチング、成膜等)を担う製造技術エンジニア。化合物半導体ウェハに対する各種プロセス技術の製造現場における技術リーダー。

携帯電話基地局向けGaN HEMT(窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ)のデバイス技術エンジニア。試作デバイスの特性評価とFBを通じプロセス・生産技術者と協議、量産デバイスの特性最大化・歩留改善・製品化の伴走

携帯電話基地局向けGaN HEMT・高出力増幅器を収容する高周波パッケージの開発エンジニア。高性能化・小型化を支えるパッケージの材料選定、構造設計、製造立ち上げ、工程改善まで一気通貫で担っていただきます。

化合物半導体製造を支えるMES（製造実行システム）および周辺サブシステムの運用・保守・改善対応、ならびに将来のDX化推進を担っていただくポジションです。

5G/6G基地局向けGaN-HEMTデバイス製造の半導体ウェハプロセスの開発ポジション。個々のユニットプロセス(成膜、エッチング、フォトリソ等)の加工条件開発から、複数のプロセスのインテグレーション業務まで。

UIターン歓迎です。GaN HEMTを用いた高出力増幅器の設計開発を担うエンジニア。国内外の主要基地局ベンダーからの顧客要求仕様を受け、ドハティ増幅器等の回路設計から試作・評価・製品化まで、開発をリード。

化合物半導体ウェハプロセスに関する開発を担当いただきます

無線通信を支えるGaNデバイスの製造工程（ウエハプロセス～組立・試験）における品質管理業務です。

光デバイス製造の最重要工程であるエピタキシャル結晶成長を担う製造技術エンジニア。MOCVD等を用いた化合物半導体の結晶成長プロセスについて、量産立ち上げから歩留まり安定化、不具合対策まで。

化合物半導体の製造設備をつなぎ設備データを収集加工活用する基盤を整備。設備仕様策定から制御設定整形処理上位連携可視化運用まで一体で推進。暗黙知をデータで見える化し継続改善で生産性と品質を向上

化合物半導体光デバイスのプロセス技術開発、特にMOCVD・エピタキシャル結晶成長を中心とするエンジニアを募集。量子井戸構造や三次元構造の成長技術を開発し、光素子設計部と連携し新製品の開発・特性改善を牽引

5G/6G基地局向け無線通信デバイスの後工程（組み立て・試験）において、製品の特性を測定・評価する試験設備の立上げ・運用・トラブル対応を担うポジションです。