- 正社員企業名 ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社 求人名 NANDメモリ向けロジック設計・RTL設計エンジニア 仕事の内容 NANDフラッシュメモリ製品におけるデジタル回路設計（RTL設計）をお任せします。VerilogやSystemVerilogを用い、仕様書に基づく機能ブロック設計や検証チームとの連携、デバッグ等を行います。 具体的な業務内容は以下の通りです。(1)NANDフラッシュ製品におけるデジタル回路設計(RTL設計)、(2)Verilog/SystemVerilogを用いた設計・実装、(3)仕様書に基づく機能ブロック設計および改善提案、(4)検証チームとの連携による機能検証・デバッグ対応、(5)合成・タイミング制約(SDC)を考慮した設計対応 募集職種 NANDメモリ向けロジック設計・RTL設計エンジニア年俸
700万円～900万円
神奈川県横浜市港北区- 業界未経験歓迎年間休日120日以上英語退職金あり完全週休2日制土日祝休み
- 正社員企業名 ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社 求人名 [デザインエンジニア※NANDメモリ設計エンジニア]年収900～1600万円/年休124日 仕事の内容 ■1Xnm、2XnmのNANDのRTL設計者、およびロジック検証をお任せいたします。NANDのリード設計は日本で行っており、競合他社と比較して少人数組織となるため、裁量が大きく自身の考えを反映させやすい環境です。 【具体的には】 NOR/NAND/Serial Flash等の回路設計・製品開発を担当します。Memory Arrayや周辺回路（Charge Pump、Sense Amp等）の設計・改善から、シミュレーション、評価結果の解析まで幅広く対応。台湾本社R&Dや品質部門との連携、顧客要求への技術対応（カスタマイズ要望、不具合解析等）も行い、製品の中核を担います。 募集職種 [デザインエンジニア※NANDメモリ設計エンジニア]年収900～1600万円/年休124日年俸
900万円～1600万円
神奈川県横浜市港北区- 業界未経験歓迎年間休日120日以上英語退職金あり完全週休2日制土日祝休み
- 正社員企業名 ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社 求人名 [デザインエンジニア※DRAMメモリ設計エンジニア]年収900～1600万円/年休124日 仕事の内容 車載・産業機器・通信機器向け等のDRAM製品R&D業務。台湾本社や国内各部門と連携し、仕様検討から回路設計、検証、評価、量産立ち上げ支援まで、経験に応じたフェーズを幅広くお任せします。 【具体的には】 DRAM製品の回路設計、周辺回路設計、Product Design、Design Verification等をご担当いただきます。Memory Array等の設計・改善から、製品仕様検討、シミュレーション、評価結果の解析まで幅広く対応。台湾本社R&Dとの技術打合せを通じた課題解決や、顧客要求に基づくカスタマイズ、FAEや営業部門との連携による技術サポートも行います。※月平均残業時間は30時間程度です。 募集職種 [デザインエンジニア※DRAMメモリ設計エンジニア]年収900～1600万円/年休124日年俸
900万円～1600万円
神奈川県横浜市港北区- 業界未経験歓迎年間休日120日以上英語退職金あり完全週休2日制土日祝休み
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