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正社員企業名 ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社 求人名 【メモリ製品開発エンジニア（DRAM）】メモリ未経験OK/台湾上場Winbondグループ 仕事の内容 DRAM製品の開発業務をご担当いただきます。入社後は、ご経験と専門性に応じた領域からスタートし、台湾本社R&Dとの協働を通じてメモリ設計・製品開発の知識を身につけていただきます。 【具体的には】 DRAMの回路設計、周辺回路設計、プロダクトデザイン、検証業務をお任せします。具体的には、アナログ／ミックスドシグナル回路、高速インターフェース回路、カスタム論理回路の設計・改善、仕様検討、シミュレーション、評価結果の解析や歩留まり改善等を担当。台湾本社との技術協議や顧客要求に基づくカスタマイズ、社内FAE・営業との連携を通じて、製品化までの一連のプロセスを担っていただきます。 募集職種 【メモリ製品開発エンジニア（DRAM）】メモリ未経験OK/台湾上場Winbondグループ年俸600万円～1000万円
福岡県福岡市中央区- 業界未経験歓迎年間休日120日以上英語退職金あり完全週休2日制土日祝休み
- 正社員企業名 ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社 求人名 【福岡/半導体メモリR&D】Flash Memory設計・評価・量産支援／台湾本社R&D連携 仕事の内容 フラッシュメモリ製品の設計・開発業務を担当いただきます。経験に応じて、メモリアレイ、周辺回路、I/O、電源、制御回路、検証、評価、量産立ち上げ支援、顧客要求に基づく技術対応をお任せします。 ・NOR Flash、NAND Flash、Serial Flash等の回路設計・製品開発 ・Memory Array、Charge Pump、Sense Amp、Decoder、I/O、Power、Control Logic等の設計・改善 ・設計仕様検討、シミュレーション、設計レビュー、評価結果の解析 ・信頼性評価、特性評価、歩留まり改善、Failure Analysisの支援 ・台湾本社R&D、品質、FAE、営業部門との技術連携 ・国内顧客の要求仕様・不具合解析・カスタマイズ要望への技術対応 募集職種 【福岡/半導体メモリR&D】Flash Memory設計・評価・量産支援／台湾本社R&D連携年俸
800万円～1600万円
福岡県福岡市中央区- 業界未経験歓迎年間休日120日以上英語退職金あり完全週休2日制土日祝休み
- 正社員企業名 ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社 求人名 【福岡/DRAM設計エンジニア】Specialty DRAM開発／台湾上場Winbondグループ 仕事の内容 台湾本社R&Dや各部門と連携し、Specialty DRAM等の製品仕様策定から回路設計、検証、評価、量産立ち上げ支援まで幅広く担当します。グローバル環境で最先端のメモリ技術を追求できる環境です。 【具体的には】 DRAMの回路設計、周辺回路設計、プロダクトデザイン、検証業務をお任せします。具体的には、Memory ArrayやI/O、電源等の設計・改善、仕様検討、シミュレーション、評価結果の解析を担当。さらに、テストや歩留まり改善、FA支援も行います。台湾本社との技術協議（英語使用）や顧客要求に基づくカスタマイズ、社内FAE・営業との連携を通じて、製品化までの一連のプロセスを牽引していただきます。 募集職種 【福岡/DRAM設計エンジニア】Specialty DRAM開発／台湾上場Winbondグループ年俸
800万円～1600万円
福岡県福岡市中央区- 業界未経験歓迎年間休日120日以上英語退職金あり完全週休2日制土日祝休み
