Ａｎｊｅｔ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｌａｂ株式会社の中途採用・転職・求人情報
事業内容 | 化合物パワー半導体デバイス設計業 |
|---|---|
本社所在地 | 615-8245京都府京都市西京区御陵大原１－３９ |
代表者 | 呉 文景 |
企業代表番号 | 075-393-2565 |
企業ホームページ | http://anjet.com/ja-jp/ |
最終更新日：2026/03/12
Ａｎｊｅｔ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｌａｂ株式会社
募集している求人
- 正社員
Anjet Research Lab株式会社
SiC/GaNデバイス開発工程オープンポジション 急成長ベンチャー/即戦力採用 半導体デバイス設計
■業界最先端の高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、SiC/GaNデバイスの設計開発/試作/評価等の業務をお任せします。 ※ご本人の希望・適性に応じて幅広い業務に挑戦いただけます。
年俸700万円～1000万円
勤務地京都府京都市西京区- 転勤なし完全週休2日制土日祝休み服装自由
仕事の内容企業名 Ａｎｊｅｔ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｌａｂ株式会社 求人名 SiC/GaNデバイス開発工程オープンポジション◇急成長ベンチャー/即戦力採用 仕事の内容 ■業界最先端の高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、SiC/GaNデバイスの設計開発/試作/評価等の業務をお任せします。 ※ご本人の希望・適性に応じて幅広い業務に挑戦いただけます。 ＜開発工程一覧＞ ・設計開発（構造設計や評価など） ・テクノロジー開発（プロセス開発、歩留まり改善など） ・品質保証（品質評価、監査対応などを含む） ★ご経験を生かして様々な工程でご活躍いただけます！ 募集職種 SiC/GaNデバイス開発工程オープンポジション◇急成長ベンチャー/即戦力採用必要な経験・能力等必要な経験・能力等 ◎化合物半導体に関する業務経験 ◎半導体製品に関する品質保証業務の経験 【尚可】英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方 ★本部は台湾にあり、取引先の工場も海外にあるため、英語を主とした外国語でのやり取りが発生します。英語を話せる社員が多いため、フォローは可能なので、入社後に英語を勉強していただければ問題なし！ ★従業員はパワー半導体の業界において高いスキルをお持ちの方が多いため、入社後さらにスキルを高めることが可能！刺激をもらえ、常に新しいことに取り組める環境です。 ★国内外各地からメンバーが集まっております！ 学歴・資格 学歴：大学院 大学 高専 語学力： 資格： - 正社員
Anjet Research Lab株式会社
【SiC/GaNデバイスの品質保証】即戦力採用/年休120日/成長中ベンチャー 半導体プロセス設計
■化合物半導体を用いたパワーデバイスの品質保証業務をお任せいたします。入社後はご希望に応じて開発工程の他ポジションに挑戦いただくことも可能です。※本ポジションは即戦力となる方の募集です。
年俸700万円～1000万円
勤務地京都府京都市西京区- 業界未経験歓迎転勤なし完全週休2日制土日祝休み服装自由
仕事の内容企業名 Ａｎｊｅｔ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｌａｂ株式会社 求人名 【SiC/GaNデバイスの品質保証】即戦力採用/年休120日/成長中ベンチャー 仕事の内容 ■化合物半導体を用いたパワーデバイスの品質保証業務をお任せいたします。入社後はご希望に応じて開発工程の他ポジションに挑戦いただくことも可能です。※本ポジションは即戦力となる方の募集です。 ＜具体的な業務内容の例＞ ・車載および産業用途向けSiC/GaNデバイスの品質評価／信頼性試験 ・製品異常の解析・フィードバック（FMEA、FTA、8Dなど） ・顧客監査・外部品質対応（PPAP、IATF対応など） ・工程監視／出荷品質データの統計的分析 ・品質向上活動（社内横断的な改善プロジェクト推進） 募集職種 【SiC/GaNデバイスの品質保証】即戦力採用/年休120日/成長中ベンチャー必要な経験・能力等必要な経験・能力等 ◎半導体製品の品質保証・品質管理経験（3年以上） ◎信頼性試験規格（AEC-Q101、JEITA、JEDECなど）の理解 ◎語学：英語および中国語でコミュニケーションの取れる方 ＜以下スキルお持ちの方は歓迎いたします＞ ・顧客対応（車載OEM／Tier1等）の実務経験 ・ISO9001, IATF16949等の認証対応経験 ・品質管理手法（QC7つ道具、統計解析など）のスキル ★従業員はパワー半導体の業界において高いスキルをお持ちの方が多いため、入社後さらにスキルを高めることが可能！刺激をもらえ、常に新しいことに取り組める環境です。 学歴・資格 学歴：大学院 大学 語学力： 資格： - 正社員
Anjet Research Lab株式会社
【SiC/GaNデバイスの設計開発】ポテンシャル採用/年休120日/成長中ベンチャー 半導体デバイス設計
■化合物半導体を用いたパワーデバイスの設計・開発業務をお任せいたします。入社後はご希望に応じて開発工程の他ポジションに挑戦いただくことも可能です。
年俸500万円～700万円
勤務地京都府京都市西京区- 業界未経験歓迎転勤なし完全週休2日制土日祝休み服装自由
仕事の内容企業名 Ａｎｊｅｔ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｌａｂ株式会社 求人名 【SiC/GaNデバイスの設計開発】ポテンシャル採用/年休120日/成長中ベンチャー 仕事の内容 ■化合物半導体を用いたパワーデバイスの設計・開発業務をお任せいたします。入社後はご希望に応じて開発工程の他ポジションに挑戦いただくことも可能です。 ＜具体的な業務内容の例＞ ・SiC/GaNパワーデバイス（MOSFET、SBDなど）の構造設計・シミュレーション ・TCADを活用したデバイスパフォーマンスの最適化 ・試作～特性評価（電気的・熱的） ・顧客要求仕様の分析と製品スペック設計 ・量産移管に向けたプロセス部門との連携および最適化支援 募集職種 【SiC/GaNデバイスの設計開発】ポテンシャル採用/年休120日/成長中ベンチャー必要な経験・能力等必要な経験・能力等 ◎SiC、GaN、またはシリコンパワーデバイスの開発経験（3年以上） ◎TCAD（Synopsys, Silvaco等）経験者 ◎半導体デバイス物性・電気特性の知識 ★本部は台湾にあり、取引先の工場も海外にあるため、英語を主とした外国語でのやり取りが発生します。英語を話せる社員が多いため、フォローは可能なので、入社後に英語を勉強していただければ問題なし！ ★従業員はパワー半導体の業界において高いスキルをお持ちの方が多いため、入社後さらにスキルを高めることが可能！刺激をもらえ、常に新しいことに取り組める環境です。 ★国内外各地からメンバーが集まっております！ 学歴・資格 学歴：大学院 大学 語学力： 資格： - 正社員
Anjet Research Lab株式会社
【SiC/GaNデバイスのテクノロジー開発】即戦力採用/年休120日/成長中ベンチャー 半導体プロセス設計
■化合物半導体を用いたパワーデバイスのプロセス開発業務をお任せいたします。入社後はご希望に応じて開発工程の他ポジションに挑戦いただくことも可能です。※本ポジションは即戦力となる方の募集です。
年俸700万円～1000万円
勤務地京都府京都市西京区- 業界未経験歓迎転勤なし完全週休2日制土日祝休み服装自由
仕事の内容企業名 Ａｎｊｅｔ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｌａｂ株式会社 求人名 【SiC/GaNデバイスのテクノロジー開発】即戦力採用/年休120日/成長中ベンチャー 仕事の内容 ■化合物半導体を用いたパワーデバイスのプロセス開発業務をお任せいたします。入社後はご希望に応じて開発工程の他ポジションに挑戦いただくことも可能です。※本ポジションは即戦力となる方の募集です。 ＜具体的な業務内容の例＞ ・デバイス製造プロセス（イオン注入、酸化、エッチングなど）の開発、改善（プロセスインテグレーション） ・歩留まり改善、プロセス安定性検証 ・新規材料評価および分析（XRD、SEM、AFM、SIMSなど） 募集職種 【SiC/GaNデバイスのテクノロジー開発】即戦力採用/年休120日/成長中ベンチャー必要な経験・能力等必要な経験・能力等 ◎化合物半導体に関する材料またはプロセス開発経験（3年以上） ◎海外半導体メーカー（ファウンドリー）との技術折衝経験 ★国内外各地からメンバーが集まっております！ ＜以下スキルお持ちの方は歓迎いたします＞ ・デバイス量産立ち上げプロジェクト経験 ・クリーンルーム内での実務経験 ・英語/中国語でのコミュニケーション/技術文書作成スキル ★従業員はパワー半導体の業界において高いスキルをお持ちの方が多いため、入社後さらにスキルを高めることが可能！刺激をもらえ、常に新しいことに取り組める環境です。 学歴・資格 学歴：大学院 大学 語学力： 資格： - 正社員
Anjet Research Lab株式会社
【SiC/GaNデバイスの設計開発】即戦力採用/年休120日/成長中ベンチャー 半導体デバイス設計
■化合物半導体を用いたパワーデバイスの設計・開発業務をお任せいたします。入社後はご希望に応じて開発工程の他ポジションに挑戦いただくことも可能です。※本ポジションは即戦力となる方の募集です。
年俸700万円～1000万円
勤務地京都府京都市西京区- 業界未経験歓迎転勤なし完全週休2日制土日祝休み服装自由
仕事の内容企業名 Ａｎｊｅｔ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｌａｂ株式会社 求人名 【SiC/GaNデバイスの設計開発】即戦力採用/年休120日/成長中ベンチャー 仕事の内容 ■化合物半導体を用いたパワーデバイスの設計・開発業務をお任せいたします。入社後はご希望に応じて開発工程の他ポジションに挑戦いただくことも可能です。※本ポジションは即戦力となる方の募集です。 ＜具体的な業務内容の例＞ ・SiC/GaNパワーデバイス（MOSFET、SBDなど）の構造設計・シミュレーション ・TCADを活用したデバイスパフォーマンスの最適化 ・試作～特性評価（電気的・熱的） ・顧客要求仕様の分析と製品スペック設計 ・量産移管に向けたプロセス部門との連携および最適化支援 募集職種 【SiC/GaNデバイスの設計開発】即戦力採用/年休120日/成長中ベンチャー必要な経験・能力等必要な経験・能力等 ◎SiC、GaN、またはシリコンパワーデバイスの開発経験（3年以上） ◎TCAD（Synopsys, Silvaco等）経験者 ◎半導体デバイス物性・電気特性の知識 ＜以下スキルお持ちの方は歓迎いたします＞ ・車載・産業用途の高信頼性設計経験 ・英語/中国語でのコミュニケーション/技術文書作成スキル ★従業員はパワー半導体の業界において高いスキルをお持ちの方が多いため、入社後さらにスキルを高めることが可能！刺激をもらえ、常に新しいことに取り組める環境です。 ★国内外各地からメンバーが集まっております！ 学歴・資格 学歴：大学院 大学 語学力： 資格：