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- 正社員企業名 日本ルメンタム株式会社 求人名 【光半導体プロセス開発マネージャー】年休125日/土日祝休み/グローバル 仕事の内容 光通信用半導体レーザ等のInPウエハプロセス開発をリードするミッションです。設計・製造チームと連携し新製品導入（NPI）に向けた個別プロセス開発やフロー構築を遂行いただきます。 ■ウェット/ドライエッチング、メタライゼーション、リソグラフィ等NPIのための個別プロセス開発計画・実行 ■R&D設計・OPS製造技術チームと連携したプロセス統合とフロー作成 ■生産性・歩留まり・コスト改善に資する新プロセス技術の提案 ■部下のマネジメントおよび海外拠点との協働 ★次世代光コンピューティング・AIインフラを支えるキーデバイス創出に直結するやりがいがあります。 募集職種 【光半導体プロセス開発マネージャー】年休125日/土日祝休み/グローバル年俸
900万円～1500万円
神奈川県相模原市中央区- 年間休日120日以上土日祝休み完全週休2日制退職金あり英語
- 正社員企業名 ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社 求人名 【福岡/半導体メモリR&D】Flash Memory設計・評価・量産支援／台湾本社R&D連携 仕事の内容 フラッシュメモリ製品の設計・開発業務を担当いただきます。経験に応じて、メモリアレイ、周辺回路、I/O、電源、制御回路、検証、評価、量産立ち上げ支援、顧客要求に基づく技術対応をお任せします。 ・NOR Flash、NAND Flash、Serial Flash等の回路設計・製品開発 ・Memory Array、Charge Pump、Sense Amp、Decoder、I/O、Power、Control Logic等の設計・改善 ・設計仕様検討、シミュレーション、設計レビュー、評価結果の解析 ・信頼性評価、特性評価、歩留まり改善、Failure Analysisの支援 ・台湾本社R&D、品質、FAE、営業部門との技術連携 ・国内顧客の要求仕様・不具合解析・カスタマイズ要望への技術対応 募集職種 【福岡/半導体メモリR&D】Flash Memory設計・評価・量産支援／台湾本社R&D連携年俸
800万円～1600万円
福岡県福岡市中央区- 年間休日120日以上土日祝休み業界未経験歓迎完全週休2日制退職金あり英語
- 正社員企業名 ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社 求人名 [デザインエンジニア※NANDメモリ設計エンジニア]年収900～1600万円/年休124日 仕事の内容 ■1Xnm、2XnmのNANDのRTL設計者、およびロジック検証をお任せいたします。NANDのリード設計は日本で行っており、競合他社と比較して少人数組織となるため、裁量が大きく自身の考えを反映させやすい環境です。 【具体的には】 NOR/NAND/Serial Flash等の回路設計・製品開発を担当します。Memory Arrayや周辺回路（Charge Pump、Sense Amp等）の設計・改善から、シミュレーション、評価結果の解析まで幅広く対応。台湾本社R&Dや品質部門との連携、顧客要求への技術対応（カスタマイズ要望、不具合解析等）も行い、製品の中核を担います。 募集職種 [デザインエンジニア※NANDメモリ設計エンジニア]年収900～1600万円/年休124日年俸
900万円～1600万円
神奈川県横浜市港北区- 年間休日120日以上土日祝休み業界未経験歓迎完全週休2日制退職金あり英語
- 正社員企業名 ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社 求人名 [デザインエンジニア※NANDメモリ設計エンジニア]年収800～1600万円/年休124日 仕事の内容 ■1Xnm、2XnmのNANDのRTL設計者、およびロジック検証をお任せいたします。NANDのリード設計は日本で行っており、競合他社と比較して少人数組織となるため、裁量が大きく自身の考えを反映させやすい環境です。 【当社について】1987年に台湾で設立され、NORフラッシュメモリではトップクラスのシェアを取るなど急成長した半導体企業です。今も増大する需要を満たすため台湾の高雄に新工場も設立するなど開発、生産力の向上に盛んに投資を行っています。NANDの開発については日本が主導しているため設計自由度が高く、少数精鋭での開発を行っており幅広い領域を経験いただくことが可能です。 募集職種 [デザインエンジニア※NANDメモリ設計エンジニア]年収800～1600万円/年休124日年俸
900万円～1600万円
神奈川県横浜市港北区- 年間休日120日以上土日祝休み業界未経験歓迎完全週休2日制退職金あり英語
- 正社員企業名 ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社 求人名 【福岡/DRAM設計エンジニア】Specialty DRAM開発／台湾上場Winbondグループ 仕事の内容 台湾本社R&Dや各部門と連携し、Specialty DRAM等の製品仕様策定から回路設計、検証、評価、量産立ち上げ支援まで幅広く担当します。グローバル環境で最先端のメモリ技術を追求できる環境です。 【具体的には】 DRAMの回路設計、周辺回路設計、プロダクトデザイン、検証業務をお任せします。具体的には、Memory ArrayやI/O、電源等の設計・改善、仕様検討、シミュレーション、評価結果の解析を担当。さらに、テストや歩留まり改善、FA支援も行います。台湾本社との技術協議（英語使用）や顧客要求に基づくカスタマイズ、社内FAE・営業との連携を通じて、製品化までの一連のプロセスを牽引していただきます。 募集職種 【福岡/DRAM設計エンジニア】Specialty DRAM開発／台湾上場Winbondグループ年俸
800万円～1600万円
福岡県福岡市中央区- 年間休日120日以上土日祝休み業界未経験歓迎完全週休2日制退職金あり英語
- 正社員企業名 ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社 求人名 [デザインエンジニア※DRAMメモリ設計エンジニア]年収900～1600万円/年休124日 仕事の内容 ■DRAM（1Xnm）のＲ＆Ｄ業務をお任せいたします。開発、設計、カスタマ イズ、検証等一連の業務をお任せします。 【当社DRAM分野の特徴】DRAM製 品ポートフォリオは、Mobile RAM、 Specialty DRAM、Graphics DRAMからなり、高いパフォーマンスを特徴と しております。主に、コンシューマー・コミュニケーション・コンピューター周辺機器・自動車関連機器市場などで多く使用されております。 ※忙しく、面接にお越しいただくのが難しい方でも、電話面談やご自宅近くでの面接など対応いたします。お気軽にご応募ください！ 募集職種 [デザインエンジニア※DRAMメモリ設計エンジニア]年収900～1600万円/年休124日年俸
900万円～1600万円
神奈川県横浜市港北区- 年間休日120日以上土日祝休み業界未経験歓迎完全週休2日制退職金あり英語
- 正社員企業名 ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社 求人名 [デザインエンジニア※DRAMメモリ設計エンジニア]年収900～1600万円/年休124日 仕事の内容 車載・産業機器・通信機器向け等のDRAM製品R&D業務。台湾本社や国内各部門と連携し、仕様検討から回路設計、検証、評価、量産立ち上げ支援まで、経験に応じたフェーズを幅広くお任せします。 【具体的には】 DRAM製品の回路設計、周辺回路設計、Product Design、Design Verification等をご担当いただきます。Memory Array等の設計・改善から、製品仕様検討、シミュレーション、評価結果の解析まで幅広く対応。台湾本社R&Dとの技術打合せを通じた課題解決や、顧客要求に基づくカスタマイズ、FAEや営業部門との連携による技術サポートも行います。※月平均残業時間は30時間程度です。 募集職種 [デザインエンジニア※DRAMメモリ設計エンジニア]年収900～1600万円/年休124日年俸
900万円～1600万円
神奈川県横浜市港北区- 年間休日120日以上土日祝休み業界未経験歓迎完全週休2日制退職金あり英語
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