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- 正社員企業名 ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社 求人名 第二新卒歓迎[DRAMメモリ設計エンジニア]年収700～900万円/年休124日 仕事の内容 ■DRAM（1Xnm）のR&D業務。開発、設計、カスタマイズ、検証など、一連の業務をご担当いただきます。メモリ設計のご経験がない方でも、ロジックやアナログなど他分野の半導体設計経験をお持ちの方 またはメモリ分野のプロセスエンジニアの方も、設計職へのキャリアチェンジが可能です！【当社DRAM分野の特徴】当社のDRAM製品ポートフォリオは、Mobile RAM、Specialty DRAM、Graphics DRAMから構成されており、高いパフォーマンスを誇ります。主に、コンシューマー機器、通信機器、コンピューター周辺機器、自動車関連機器市場などで幅広く使用されています。 募集職種 第二新卒歓迎[DRAMメモリ設計エンジニア]年収700～900万円/年休124日年俸
700万円以上
神奈川県横浜市港北区- 業界未経験歓迎年間休日120日以上英語退職金あり完全週休2日制土日祝休み
- 正社員企業名 ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社 求人名 [デザインエンジニア※DRAMメモリ設計エンジニア]年収900～1600万円/年休124日 仕事の内容 ■DRAM（1Xnm）のＲ＆Ｄ業務をお任せいたします。開発、設計、カスタマ イズ、検証等一連の業務をお任せします。 【当社DRAM分野の特徴】DRAM製 品ポートフォリオは、Mobile RAM、 Specialty DRAM、Graphics DRAMからなり、高いパフォーマンスを特徴と しております。主に、コンシューマー・コミュニケーション・コンピューター周辺機器・自動車関連機器市場などで多く使用されております。 ※忙しく、面接にお越しいただくのが難しい方でも、電話面談やご自宅近くでの面接など対応いたします。お気軽にご応募ください！ 募集職種 [デザインエンジニア※DRAMメモリ設計エンジニア]年収900～1600万円/年休124日年俸
900万円～1600万円
神奈川県横浜市港北区- 業界未経験歓迎年間休日120日以上英語退職金あり完全週休2日制土日祝休み
